Intel odnosi sukcesy w rywalizacji z AMD, zwiększając pamięć podręczną L3 w najnowszych procesorach Xeon „Granite Rapids” kolejnej generacji. Flagowe modele tych procesorów będą posiadać imponującą pojemność 480MB pamięci L3, co stanowi znaczącą poprawę w porównaniu do poprzedniej generacji procesorów Intel.
To przełomowe osiągnięcie następuje po wprowadzeniu procesorów Intel 5. generacji Xeon „Emerald Rapids”, które już wykazały trzykrotne zwiększenie pojemności pamięci podręcznej w porównaniu do ich poprzedników. Procesory „Emerald Rapids” oferowały 320MB pamięci L3, co przewyższało poprzednie 105MB w starszych modelach Xeon.
Wprowadzając procesory „Granite Rapids” z pamięcią podręczną L3 o pojemności do 480MB, Intel zamierza konkurować z AMD i jego rodziną procesorów EPYC, które obecnie zajmują silną pozycję na rynku. Standardowy procesor AMD EPYC 9004 może pochwalić się aż 384MB pamięci L3, a procesory EPYC „Genoa-X” 3D V-Cache najwyższej klasy wręcz przewyższają Intel, oferując imponujące 1152MB pamięci L3.
Chociaż Intel planuje wprowadzić wbudowaną pamięć podręczną 3D-stacked w przyszłych procesorach Xeon, nie jest pewne, czy procesory „Granite Rapids” będą posiadać tę funkcję. Niemniej jednak, Intel zobowiązuje się do wyzwania dominacji AMD na rynku procesorów i może nas zaskoczyć swoimi przyszłymi osiągnięciami.
Mimo że spodziewa się, że AMD w tym roku wprowadzi na rynek procesory „Turin” następnej generacji, oferujące jeszcze więcej pamięci podręcznej, zwiększenie pamięci L3 w procesorach „Granite Rapids” stanowi konkurencyjny krok naprzód. Ten rozwój sugeruje nadchodzącą wojnę pamięci podręcznej L3 w branży, w której AMD prawdopodobnie będzie miało przewagę. Oczekiwanie na procesory AMD EPYC „Turin” nadal rośnie, gdyż obiecują one wyjątkową wydajność.
Podsumowując, zwiększona pojemność pamięci L3 w najnowszych procesorach Xeon „Granite Rapids” Intel’a ilustruje jego determinację w wyzwaniu dominacji AMD na rynku. Chociaż procesory AMD mogą w przyszłości oferować większą pamięć podręczną, postęp firmy Intel stanowi istotny krok w zapożyczeniu przepaści. Konkurencja między tymi gigantami technologicznymi ostatecznie przyniesie korzyści konsumentom, gdyż stymuluje innowacje i posuwa granice możliwości procesorów.
FAQ:
1. Co robi Intel, aby konkurować z AMD?
Intel zwiększa pojemność pamięci podręcznej L3 w najnowszych procesorach Xeon „Granite Rapids” kolejnej generacji, aby wyzwać dominację AMD na rynku procesorów.
2. Jak dużą pojemność pamięci L3 będą miały flagowe modele procesorów „Granite Rapids”?
Flagowe modele procesorów „Granite Rapids” będą miały imponującą pojemność 480MB pamięci L3.
3. Jak porównuje się to do poprzedniej generacji procesorów Intel?
Pojemność 480MB pamięci L3 w procesorach „Granite Rapids” to znacząca poprawa w porównaniu do poprzedniej generacji procesorów Intel.
4. Jaką pojemność pamięci podręcznej L3 ma standardowy procesor AMD EPYC 9004?
Standardowy procesor AMD EPYC 9004 ma aż 384MB pamięci L3.
5. Jak dużą pojemność pamięci L3 oferują procesory EPYC „Genoa-X” 3D V-Cache najwyższej klasy?
Procesory EPYC „Genoa-X” 3D V-Cache najwyższej klasy oferują imponujące 1152MB pamięci L3.
6. Czy procesory „Granite Rapids” będą zawierać wbudowaną pamięć podręczną 3D-stacked?
Nie jest pewne, czy procesory „Granite Rapids” będą zawierać wbudowaną pamięć podręczną 3D-stacked, ponieważ Intel planuje wprowadzenie tej funkcji w przyszłej generacji procesorów Xeon.
7. Kiedy można spodziewać się premiery procesorów AMD EPYC „Turin” następnej generacji?
Premiera procesorów AMD EPYC „Turin” następnej generacji planowana jest na późniejszy tego roku.
8. Co oznacza zwiększona pojemność pamięci L3 w procesorach „Granite Rapids” Intel’a?
Zwiększona pojemność pamięci L3 w procesorach „Granite Rapids” Intel’a oznacza konkurencyjny krok naprzód w branży i sugeruje nadchodzącą wojnę pamięci L3 z AMD.
9. Jak konkurencja między Intel’em a AMD przyniesie korzyści konsumentom?
Konkurencja między Intel’em a AMD przyniesie korzyści konsumentom poprzez rozwijanie innowacji i prz pushing granic możliwości procesorów.
Definicje:
– Pamięć L3: Trzeci poziom pamięci podręcznej w procesorze, zaprojektowany do przechowywania często używanych danych, w celu szybkiego ich pobierania i przetwarzania.
Sugerowany powiązany link:
– Oficjalna strona internetowa Intel’a
The source of the article is from the blog crasel.tk