De recente aankondiging van een voorlopige memorandum om ongeveer $1,5 miljard aan directe financiering onder de CHIPS and Science Act te verstrekken aan GlobalFoundries (GF) benadrukt een investering in cruciale binnenlandse capaciteiten rond gemengde signaal- en analoge technologie. Terwijl het merendeel van de financiering zal worden gebruikt voor de uitbreiding van de faciliteiten van GF in Malta, NY, zal een deel worden ingezet voor het revitaliseren van de Fab 9 in Essex Junction, Vermont. De betekenis van deze investering in Vermont mag niet over het hoofd worden gezien.
Fab 9, oorspronkelijk overgenomen van IBM in 2015, was ooit de belangrijkste fabriek van IBM in de late jaren 1990. Echter, toen IBM zijn toonaangevende investeringen verplaatste naar East Fishkill, NY, verloor de fabriek aan aanzien. Desalniettemin huisvest Fab 9 unieke procestechnologieën, zoals galliumnitride (GaN) op silicium en silicium-germanium (SiGe), die strategisch belangrijk zijn voor de Verenigde Staten.
GaN, een breedband halfgeleider, biedt diverse voordelen ten opzichte van traditionele siliciumchips. Het kan hogere voltages aan, werken bij hogere temperaturen en zorgt voor sneller opladen van apparaten zoals smartphones en elektrische voertuigen. Daarnaast maken de snelle schakelmogelijkheden van GaN-apparaten ze zeer waardevol voor radio-onderdelen in telefoons en toekomstige technologieën zoals 5G en de aankomende 6G-netwerken.
Hoewel GaN aanzienlijke voordelen biedt, brengt de samenstelling van deze halfgeleider uitdagingen met zich mee op het gebied van fabricage. Het creëren van GaN-transistors vereist het deponeren van GaN op substraten zoals silicium, siliciumcarbide, saffier of GaN zelf. Het integreren van GaN-apparaten met siliciumcircuits is wenselijk vanwege de lagere kosten van silicium, maar het introduceert technische obstakels met betrekking tot rooster- en thermische mismatch. Het overwinnen van deze uitdagingen vereist gespecialiseerde kennis en geavanceerde processen.
Bedrijven zoals Qorvo zijn actieve gebruikers van GaN op silicium, waarbij ze deze technologie inzetten in kritieke componenten voor smartphones en draadloze communicatie. De expertise van GF in silicium-germanium (SiGe) speelt ook een vitale rol in hoogfrequente telecommunicatieapparaten zoals RF-vermogensversterkers. Met klanten zoals Raytheon die al samenwerken met GF, is de investering van de overheid in de faciliteit in Essex Junction goed gefundeerd.
Door GF’s faciliteiten in Vermont te ondersteunen, met name die betrokken zijn bij het veilig produceren van essentiële chips voor draadloze communicatie, zorgt de VS ervoor dat het voorop blijft lopen in deze competitieve industrie. Investeren in een periode van relatieve kracht en strategisch belang maakt voortdurende groei en innovatie mogelijk, en behoudt cruciale binnenlandse capaciteiten voor de komende jaren.
The source of the article is from the blog kunsthuisoaleer.nl