Samsung Electronics ruošiasi transformuoti saugyklų sritį su savo artėjančiais, šiais metais, paremtais keturiais lygmenimis (QLC) pagrįstais V-NAND fleso produktai. Atsižvelgdama į didėjančią paklausą aukštos talpos saugojimo sprendimams dirbtinio intelekto amžiuje, Samsung siekia išlikti žingsniu priekyje.
Interviu su Samsung atstovu atskleidė padidėjusį susidomėjimą AI orientuotais aukštos talpos saugojimo serveriais. Su AI duomenų centrais susiduriančiais su elektros energijos sąnaudų varžybomis, yra skubus poreikis didelės atminties talpos atskiriems saugojimo serveriams ir svarba išlaikyti kontrolines taškas – konkrečius taškus, kuriuose išsaugomi modelio mokymo būsenos, lemia didėjantį poreikį aukšto našumo ir labai patvariam saugojimui.
AI srityje ne tik aukšta juostos pločio atmintis (HBM) yra būtina ultragreitai vykdomoms paralelinėms skaičiavimams, tačiau taip pat reikalingos įvairios atminties sprendimai. Ypač kalbos modelio mokymui ir spėjimosi etapams, būtina turėti didelį saugojimą, kad būtų galima laikyti masiškus duomenų rinkinius ir užtikrinti greitą algoritmo veikimą.
Vedant pramonę, Samsung pradėjo masinį ‘1-terabitinės (Tb) Triple Level Cell (TLC) 9-osios kartos V-NAND’ produkciją praėjusį mėnesį, pirmyn vedantis žingsnis, kai kiekviena ląstelė gali saugoti tris bitus. Ši karta pasižymi 10 % mažesne galios suvartojimu nei ankstesnės išdaigos.
Taip pat sutelkdama dėmesį į efektyvumą, Samsung nukreipė savo plėtros pastangas į mažai energijos suvartojančių dizaino technologijas savo 9-osios kartos produktams dėl našumo reikalavimų iš centralinių procesorių vienetų bei vaizdų procesorių vienetų dirbtinio intelekto amžiuje.
Artėjantis QLC V-NAND, kuris gali užsirašyti keturis bitus į ląstelę, žada didžiulį saugojimo našumo padidėjimą. Samsung strategija ne tik reaguoja į rinkos interesus, bet ir aktyviai kuria rinkos tendencijas, suprasdama bei patenkinama klientų poreikius laiku išleisdama produktus. Naujos kartos programų asortimentas tampa platesnis, sutelkiant dėmesį į įrenginiuose esantį dirbtinį intelektą, automobilius ir periferinius įrenginius.
Virš visko, Samsung vizija yra praturtinti žmogišką gyvenimą ir skatinti nuolatinį augimą diegdama puslaidininkių technologijas. Jie įsipareigoję bejėgiškai inovacijoms, ypač plėtojant didelės talpos, mažai energijos suvartojančias ekologines technologijas, kurios mažina anglies pėdsakus.
Svarbūs klausimai ir atsakymai:
Kas yra V-NAND technologija?
V-NAND arba vertikalus NAND yra fleso atminties tipas, kuriame atminties ląstelės yra statomos vertikaliai, ženkliai padidinant saugojimo tankį ir patikimumą lyginant su tradiciniu pločiu NAND.
Kuo QLC V-NAND skiriasi nuo TLC V-NAND?
Keturių lygmenų ląstelė (QLC) V-NAND saugo keturis duomenų bitus per ląstelę, kai Triple-Level Cell (TLC) saugo tris bitus per ląstelę. QLC siūlo didesnę tankį, kas išverčia didesnę saugojimo talpą tą pačią fizikinę erdvę.
Kokie yra pagrindiniai V-NAND technologijos iššūkiai?
Vienas iš iššūkių yra išlaikyti duomenų integralumą ir skaitymo/rašymo greičius, kai ląstelės yra tankiau sudėtos. Be to, kaip daugiau bitų saugoma vienos ląstelės, bendrai atsparumas sumalkėja (ląstelės skaičius, kokį rašymo ciklų skaičių ląstelė gali išlaikyti iki gedimo).
Ar egzistuoja kontroversijos, susijusios su šia tema?
Susirūpinimas dėl puslaidininkių gamybos aplinkosauginio poveikio yra svarbus. Nors investuojant į ekologines technologijas yra teigiamas žingsnis, viskas apimančios anglies pėdsako gamybos procesų ir naudojamų medžiagų įtaka dažnai yra kritikuojama.
Privalumai:
– Padidinta saugojimo talpa: Aukštesnės bitų per ląstelę technologijos leidžia apsaugoti daugiau duomenų toje pačioje erdvėje.
– Mažesnis energijos suvartojimas: Samsung V-NAND siekia pagerinti energijos efektyvumą, spręsdama aplinkosaugos ir kainų rūpesčius.
– Gerbesnis našumas: Kiekviena nauja V-NAND kartos tipiškai siūlo patobulinimus duomenų perdavimo greičiuose ir latencijoje.
Trūkumai:
– Sumažėjęs atsparumas: Kiekvienam bitui pridėjus ląstelei, dėvėjimas padaugėja, galimai sutrumpindamas jos tarnavimo laiką.
– Gamybos sudėtingumas: Aukšto tankio V-NAND gamyba gali būti techniškai sudėtingesnė ir gali reikalauti didelių I&D investicijų.
Norėdami išsamiau ištirti puslaidininkių technologijos ir pažangos temas, galite apsilankyti pagrindiniame Samsung puslapyje Samsung. Be to, siekiant platesnio supratimo apie fleso atmintį ir V-NAND, apibrėžiant informaciją iš pramonės žurnalų, puslaidininkių konferencijų bei recenzuojamų tyrimų straipsnių.