Vis kintančio dirbtinio intelekto (DI) ir aukštos našumo skaičiavimo (ANS) kraštovaizdyje atminties technologija vaidina kritinį vaidmenį. Kadangi šių pramonės šakų poreikiai neabejotinai auga, didesnės atminties srautinės talpos poreikis tampa akivaizdus. Įsiveržia HBM4 – naujos kartos atminties sprendimas, kuris tikimasi revoliucionizuoti šį lauką.
Neseniai prasidėjo didelio masto HBM3E atminties masinė gamyba, kurios duomenų perdavimo greitis per 1024 bitų sąsają siekia 9,6 GT/s. Tačiau generatyvios DI rinkos išaugimas toliau reikalauja dar pažangesnių procesorių ir atminties technologijų. Tam spręsti tikimasi, kad per kitus dvejus metus rinkose pasirodys HBM4 su 2048 bitų sąsaja.
Sk Hynix, pagrindinis atminties pramonės žaidėjas, aktyviai siekia diegti ir masiškai gaminti HBM4. Pirmininkas Čunhvanas Kimas paskelbė „SEMICON Korea 2024” renginyje, kad iki 2026 metų Sk Hynix ketina gaminti HBM4 pagal Micron planus jį pateikti rinkai jau anksti 2026 metais.
Su HBM4 dėmesys sutelkiamas į esminį DRAM perduodamą krūvį. Micron įžvelgia teorinį atminties srautinės talpos aukščiausią piką vienam paketui, siekiantį daugiau nei 1,5 TB/s per 2048 bitų sąsają ir apie 6 GT/s perduodamą greitį. Didžesnė šios atminties srautinė talpa ne tik patenkina DI ir ANS pramonės sektorių poreikius, bet ir padeda išlaikyti energijos sąnaudas kontrolėje. Tačiau didesnė routingo arba klojimo reikalavimų sudėtingumas gali sumažinti išlaidų lygį lyginant su ankstesnėmis iteracijomis.
Samsung, dar vienas svarbus atminties rinkos dalyvis, taip pat patvirtina savo įsipareigojimą iki 2026 metų plėtoti ir gaminti HBM4. Įdomu tai, kad Samsung žengia dar žingsnį toliau, siūlydamas individualiems klientams pritaikytus HBM sprendimus. Optimizuodamas veikimą papildant logikos mikroschemomis, Samsung siekia patenkinti generatyvaus DI dalyvaujančių individualių klientų unikalius poreikius.
Kadangi poreikis itin didelės veiklos galioms ir atminties srautinei talpai nenumaldomai auga, HBM4 plėtojimas suteikia įdomios galimybės dirbtiniam intelektui ir aukštos našumo skaičiavimo pramonėms. Su savo pagerinta veikla ir pritaikytomis priemonėmis HBM4 turi potencialą atrakinti naujus veiksmingumo ir inovacijų laipsnius atminties technologijų srityje.
Dažniausiai užduodami klausimai (DUK) apie HBM4 atminties technologiją
1. Kas yra HBM4?
HBM4 reiškia aukštos srautinės talpos atmintį 4 ir yra naujos kartos atminties sprendimas, kuris tikimasi revoliucionizuoti dirbtinio intelekto (DI) ir aukštos našumo skaičiavimo (ANS) lauką. Tikimasi, kad jis turės 2048 bitų sąsają ir reikšmingai didesnę atminties srautinę talpą lyginant su ankstesnėmis iteracijomis.
2. Kada HBM4 bus prieinamas rinkoje?
Didžiosios atminties pramonės dalyviai, pavyzdžiui, SK Hynix ir Samsung, aktyviai siekia plėtoti ir masiškai gaminti HBM4. SK Hynix planuoja gaminti HBM4 iki 2026 m., Fall Micron planą jį pateikti rinkai jau anksti 2026 m.
3. Kokie yra HBM4 privalumai?
HBM4 tikslas yra reikšmingai padidinti DRAM kanalų talpą, turintią teorinę maksimalią atminties srautinę talpą vienam stapeliui virš 1,5 TB/s. Ši didesnė atminties srautinė talpa patenkina dirbtinio intelekto (DI) ir aukštos našumo skaičiavimo (ANS) pramonės sektorių poreikius ir padeda išlaikyti energijos sąnaudas kontrolėje. Be to, Samsung siūlo individualiems klientams pritaikytus HBM sprendimus, optimizuojant veikimą pagal jų unikalius poreikius.
4. Ar yra kokios nors iššūkiai ar potencialūs trūkumai, susiję su HBM4?
Nepaisant to, kad HBM4 siūlo pagerintą veiklą, didesnis routingo arba klojimo reikalavimų sudėtingumas gali padidinti išlaidas lyginant su ankstesnėmis iteracijomis.
Susijęs nuorodos:
– SK Hynix
– Samsung
The source of the article is from the blog macnifico.pt