Istraživači su napravili revolucionarno otkriće u tehnologiji nanokaveza, razvijajući III-V poluvodičku nanokavezkoji nadmašuje prethodne standarde zadržavanja svjetlosti. Ovaj uspjeh ima potencijal da revolucionizira fotoničke uređaje, znatno poboljšavajući komunikaciju i računalnu učinkovitost bržim prijenosom podataka i smanjenom potrošnjom energije.
Istraživači, predvođeni Mengom Xiongom s Tehničkog sveučilišta Danske, stvorili su nanokaveze s ultramalim načinskim volumenima, obećavajući napretke u raznim tehnološkim područjima. Kroz zadržavanje svjetlosti ispod granice difrakcije, ove nanokaveze pružaju ogroman potencijal za poboljšanje lasera, LED dioda, kvantne komunikacije i tehnologija osjetljivosti. Osim toga, mogli bi omogućiti brži prijenos podataka i značajno smanjiti potrošnju energije u komunikacijskim sustavima.
Novi dizajn nanokaveza pokazao je načinski volumen deset puta manji od bilo kojeg prethodno demonstriranog u III-V materijalima poput galijevog arsena i indij fosfida. Ovi materijali posjeduju jedinstvene svojstva idealna za optoelektronske uređaje. Prostorna zadržavanje svjetlosti postignuto od strane istraživača poboljšava interakciju između svjetlosti i tvari, rezultirajući snažnijim LED diodama, manjim pragovima lasera i većom učinkovitošću fotona.
Učinak ovih nanokaveza ide dalje od prijenosa podataka. Njihova integracija u napredne tehnike snimanja, poput superrezolucijske mikroskopije, mogla bi revolucionirati otkrivanje bolesti i praćenje liječenja. Osim toga, obećavaju poboljšanje senzora koji se koriste u raznim primjenama, uključujući praćenje okoliša, sigurnost hrane i sigurnosti.
Ovaj proboj dio je napora NanoPhoton – Centra za nanofotoniku na Tehničkom sveučilištu Danske. Njihovo istraživanje dielektričnih optičkih kaveza dovelo je do razvoja ekstremno dielektrične kaveze (EDC), omogućavajući duboko potkako zadržavanje svjetlosti. Istraživači vjeruju da će EDC kavezeevatiti put za visoko učinkovite računalne sustave i smanjiti potrošnju energije integriranjem duboko-zadnoglasera i fotodetektora u tranzistore.
Uspješna realizacija nanokaveza u III-V poluvodičkom indij-fosfidu (InP) pripisana je poboljšanoj točnosti procesa izrade, koja se oslanja na litografiju s elektronskim snopom i suhu ets. Istraživači su postigli veličinu dielektričnih dijelova od samo 20 nm i dodatno optimizirali dizajn nanokaveza kako bi postigli načinski volumen četiri puta manji od granice difrakcije.
Iako su slične značajke postignute u silikonskim nanokavezama, silikon nema izravne prijelaze iz trake u traku koji se nalaze u III-V poluvodičkim nanokavezima. To čini III-V poluvodičke nanokaveze obećavajućim probojem u području fotoničkih uređaja, otvarajući nove mogućnosti za unaprijeđene komunikacijske i računalne sustave u budućnosti.
Česta pitanja:
– P: Kakvo je revolucionarno otkriće napravljeno u tehnologiji nanokaveza?
A: Istraživači su razvili III-V poluvodičku nanokavez koja nadmašuje prethodne standarde zadržavanja svjetlosti.
– P: Kako se otkriće može revolucionarizirati fotoničke uređaje?
A: Ovaj uspjeh ima potencijal da znatno poboljša komunikaciju i računalnu učinkovitost bržim prijenosom podataka i smanjenom potrošnjom energije.
– P: Koji su potencijalni napretci koje obećavaju ove nanokaveze?
A: Nanokaveze nude potencijalne napretke u lasersima, LED diodama, kvantnoj komunikaciji i tehnologijama osjetljivosti.
– P: Kako se novi dizajn nanokaveza razlikuje od prethodnih?
A: Novi dizajn nanokaveza pokazao je načinski volumen deset puta manji od bilo kojeg prethodno demonstriranog u III-V materijalima.
– P: Kako prostorno zadržavanje svjetlosti postignuto od strane istraživača poboljšava optoelektronske uređaje?
A: Prostorno zadržavanje svjetlosti poboljšava interakciju između svjetlosti i tvari, rezultirajući snažnijim LED diodama, manjim pragovima lasera i većom učinkovitošću fotona.
– P: Osim prijenosa podataka, koje druge primjene mogu imati ove nanokaveze?
A: Ove nanokaveze obećavaju unapređenje tehnika naprednog snimanja, otkrivanje bolesti, praćenje liječenja, kao i senzori koji se koriste u praćenju okoliša, sigurnosti hrane i sigurnosti.
– P: Tko je odgovoran za ovo istraživanje?
A: Istraživanje je vodio Meng Xiong s Tehničkog sveučilišta Danske uz napore NanoPhoton – Centra za nanofotoniku.
– P: Kako su uspješno ostvarene nanokaveze u III-V poluvodičkom indij-fosfidu (InP)?
A: Uspješna realizacija nanokaveza pripisana je poboljšanoj točnosti procesa izrade, koja se oslanja na litografiju s elektronskim snopom i suhu ets.
– P: Kako se III-V poluvodičke nanokaveze razlikuju od silikonskih nanokaveza?
A: III-V poluvodičke nanokaveze imaju izravne prijelaze iz trake u traku, za razliku od silikonskih nanokaveza, što ih čini obećavajućim probojem u području fotoničkih uređaja.
The source of the article is from the blog kewauneecomet.com