L’essor de l’intelligence artificielle intensifie la concurrence sur les mémoires flash NAND
L’industrie des semi-conducteurs de mémoire est témoin d’une concurrence intense, non seulement dans les catégories de mémoire à large bande (HBM), mais également dans le domaine de la mémoire flash NAND, simplement connue sous le nom de NAND. La RAM dynamique, ou D-RAM, est une forme de mémoire volatile essentielle pour le traitement de vastes quantités de données en temps réel, tandis que la mémoire NAND non volatile est généralement utilisée pour les dispositifs de stockage de données.
Une forte demande de divers secteurs pour les technologies d’intelligence artificielle (IA) a entraîné une augmentation significative de la demande pour des disques SSD (Solid State Drives) hautement performants et de grande capacité, parmi d’autres produits NAND.
Les Leaders de l’industrie se disputent la tête de file en NAND
En réponse au marché de l’IA en plein essor, des acteurs majeurs comme Samsung Electronics et SK Hynix déploient des efforts considérables pour améliorer la compétitivité de leur technologie NAND et de leurs produits. Samsung a débuté en avril la production en masse de la première V-NAND de 1 téraoctet (1Tb) de 9e génération en triple cellule par couche (TLC), consolidant ainsi son avantage technologique avec un empilement vertical supérieur des cellules NAND. Ils ont maintenant annoncé leur avancée vers une V-NAND de 9e génération de 290 couches, démontrant une augmentation de vitesse de 33% par rapport à la 8e génération, atteignant des vitesses de transfert de données allant jusqu’à 3,2 Gbit/s.
Samsung prévoit de maintenir sa position en tête du marché des SSD pour l’IA en planifiant l’introduction d’un produit SSD de 64 To. Leur stratégie est motivée par le besoin croissant de SSD dans les secteurs de la formation et de l’inférence du développement de modèles d’IA.
SK Hynix Innove avec des Solutions NAND pour l’IA sur Appareil
SK Hynix affiche ses ambitions de leader dans le secteur de la mémoire pour l’IA avec le développement réussi de la solution NAND ‘ZUFS (Zoned UFS) 4.0’ pour les smartphones à IA. Cette mémoire flash a été optimisée pour les opérations d’IA sur les appareils mobiles, vantant des performances de premier ordre dans l’industrie. Ils ont réalisé une amélioration d’environ 45% des temps de démarrage des applications et quadruplé la durabilité de leur produit, augmentant ainsi la durée de vie du produit d’environ 40%.
Avec des projets supplémentaires pour augmenter la vente de leurs SSD d’entreprise basés sur la technologie QLC en 16 canaux hautement performants, SK Hynix se prépare également à répondre à la demande du marché en lançant des SSD grand public compatibles avec la 5e génération de PCIe en temps voulu.
Les Tendances de l’IA Ravivent le Secteur NAND, Prévoyant une Croissance Robuste
L’IA a revitalisé le marché NAND autrefois en berne, avec à la clé, des bénéfices enregistrés par Samsung et SK Hynix au premier trimestre. Les prévisions de marché de la société de recherche Omdia prévoient une envolée des ventes mondiales NAND de 38,7 milliards de dollars en 2023 à 114,8 milliards de dollars d’ici 2028, avec une croissance annuelle moyenne de 24%, alimentée par le besoin de modèles linguistiques et d’inférence de grande envergure dans l’espace de l’IA.
Questions et Réponses Importantes:
– Qu’est-ce qui déclenche la montée en flèche de la demande de mémoire flash NAND?
La montée en flèche de la demande de mémoire flash NAND est largement due aux avancées des technologies d’intelligence artificielle. Le développement et le déploiement de modèles d’IA exigent des solutions de stockage de données à grande échelle dotées de performances et de capacités élevées, telles que les SSD, pour des tâches comme l’entraînement et l’inférence des modèles.
– Comment les géants des semi-conducteurs comme Samsung et SK Hynix répondent-ils à la révolution de l’IA?
Les leaders des semi-conducteurs tels que Samsung et SK Hynix répondent à la révolution de l’IA en accélérant le développement et la production de technologies avancées de mémoire flash NAND. Samsung se concentre sur la production de V-NAND à un nombre de couches plus élevé et de SSD à plus grande capacité, tandis que SK Hynix développe des solutions NAND optimisées pour les opérations d’IA sur des appareils comme les smartphones.
– Quelles sont les prévisions de marché pour le secteur NAND influencées par l’IA?
La société de recherche Omdia prévoit une croissance significative pour le secteur NAND, avec des ventes mondiales du NAND passant de 38,7 milliards de dollars en 2023 à 114,8 milliards de dollars d’ici 2028. Cette croissance devrait être en moyenne de 24% par an, indiquant une expansion robuste motivée par les applications d’IA.
Principaux Défis et Controverses:
– Défis Techniques: Développer des technologies NAND offrant une plus grande capacité de stockage, des vitesses de lecture/écriture plus rapides et une endurance accrue est techniquement exigeant. Réaliser l’empilement vertical des cellules NAND, comme l’a fait Samsung, nécessite une ingénierie de précision et peut se heurter à des limites physiques à mesure que les couches augmentent.
– Concurrence sur le Marché: Une concurrence intense entre les fabricants de NAND peut entraîner des guerres de prix, impactant la rentabilité. Les entreprises doivent équilibrer les investissements en recherche et développement face aux pressions de tarification du marché.
– Durabilité: L’impact environnemental de l’augmentation de la fabrication des semi-conducteurs, y compris la production de mémoire flash NAND, suscite des inquiétudes croissantes. L’industrie est sous pression pour minimiser l’empreinte écologique et gérer efficacement les déchets électroniques.
Avantages et Inconvénients:
Avantages:
– Performance: La technologie NAND avancée permet des solutions de stockage de données haute performance, cruciales pour les applications d’IA.
– Capacité: Des innovations telles que le SSD de 64 To de Samsung offrent des capacités de stockage plus élevées dans un espace physique plus restreint, favorisant l’efficacité.
– Non-Volatilité: Contrairement à la DRAM, la NAND est non volatile, garantissant que les données ne sont pas perdues lorsque l’alimentation est coupée, adaptée au stockage à long terme.
Inconvénients:
– Endurance: La mémoire flash NAND a un nombre limité de cycles d’écriture avant de commencer à s’user, ce qui peut poser des problèmes pour les applications à fortes écritures.
– Complexité: Avec les progrès de la technologie NAND, la complexité des processus de fabrication augmente, ce qui peut affecter les rendements de production et les coûts.
– Fluctuations du Marché: Les prix de la mémoire flash NAND peuvent fluctuer largement en fonction des dynamiques offre-demande, compliquant les prévisions et les investissements sur le marché.
Liens Connexes:
Samsung Electronics
SK Hynix
Omdia Research
The source of the article is from the blog kunsthuisoaleer.nl