سامسونگ الکترونیک آماده است که منظریه ذخیره‌سازی را با محصولات فلش بر اساس سلول چهارسطحی (QLC) باند V-NAND خود، که در ادامه امسال عرضه خواهند شد، تغییر دهد. با توجه به درخواست روزافزون راه‌حل‌های ذخیره‌سازی با ظرفیت بالا در عصر هوش مصنوعی، سامسونگ به هدف پیشی‌روی می‌دهد.
مصاحبه‌ای با یک مقام ارشد سامسونگ نشان داد که علاقه‌ی بیشتری به سرورهای ذخیره‌سازی با ظرفیت بالا، تمرکز دارند. هماهنگی مراکز داده‌ی هوش مصنوعی در مواجهه با محدودیت هزینه‌های انرژی، به نیاز فوری به ظرفیت‌های حافظه‌ی بزرگ در سرورهای ذخیره‌سازی فردی و اهمیت حفظ گیشان‌ها – نقاط خاصی که وضعیت آموزش مدل ذخیره می‌شود – منجر به افزایش درخواست برای ذخیره‌سازی با عملکرد بالا و بسیار مستحکم شده است.
در زمینه‌ی هوش مصنوعی، نه تنها حافظه‌ی با پهنای باند بالا (HBM) برای محاسبات موازی فوق‌سریع اساسی است، بلکه نیازمندی به نوعی از حافظه نیز لازم است. به ویژه برای مراحل آموزش و استدلال مدل‌های زبان، نیاز به ذخیره‌سازی بسیاری برای نگه‌داشتن مجموعه‌های داده‌های گسترده و تضمین عملکرد الگوریتم سریع الویتمی دارد.
بر جلو رفتن در صنعت، سامسونگ آغاز به تولید انبوه ‘1 ترابایت (Tb) V-NAND نسل نهم سلول سه‌سطحی (TLC)’ در ماه گذشته کرد، قدمی برتر با هر سلول قادر به ذخیره‌سازی سه بیت. این نسل به 10٪ افزایش در مصرف انرژی نسبت به نسل‌های قبلی افتخار می‌کند.
به تمرکز بیشتر بر کارایی، سامسونگ تلاش‌های توسعه‌اش را به سمت فناوری‌های طراحی با مصرف کم انرژی برای محصولات نهم خود هدایت کرده است به دلیل افزایش نیاز به عملکرد از CPUs و GPUs در عصر هوش مصنوعی.
V-NAND QLC آتی که می‌تواند چهار بیت در هر سلول ذخیره نماید، یک افزایش قابل توجه در عملکرد ذخیره‌سازی را به ارمغان می‌آورد. راهبرد سامسونگ نه تنها پاسخگو به علاقه‌های بازار است بلکه به شکلی پیش‌بینانه با درک و رضایت نیازهای مشتریان از تحریک به رشد با انتشارات موقعیت محصول گسترده جدید است. نمونه‌های بعدی اپلیکیشن در حال گسترش است، با تمرکز بر هوش مصنوعی در دستگاه، خودرو، و دستگاه‌های لبه.
بالای همه، دیدگاه سامسونگ این است که با پیشرفت فن‌آوری نیمه‌هادی، زندگی انسان را غنی‌تر کند و رشد پیوسته را تسهیل نماید. آن‌ها به نوآوری فاقد وقفه اعتماد دارند، به ویژه در توسعه فناوری‌های اکوتکنیکی با ظرفیت بالا و مصرف انرژی کم که اثرات کربنی را کاهش دهد.
سوالات مهم و پاسخ‌ها:
فن‌آوری V-NAND چیست؟
V-NAND یا Vertical NAND، یک نوع حافظه‌ی فلش است که سلول‌های حافظه به صورت عمودی پله می‌رود و دانسته‌های ذخیره‌سازی و اعتمادپذیری را نسبت به NANDهای مسطح سنتی بسیار بالا می‌برد.
چگونه V-NAND QLC با V-NAND TLC متفاوت است؟
Quad-Level Cell (QLC) V-NAND چهار بیت اطلاعات را در هر سلول ذخیره می‌کند درحالی که Triple-Level Cell (TLC) سه بیت در هر سلول ذخیره می‌کند. QLC چگالی بالاتری را ارائه می‌دهد که به ظرفیت ذخیره‌سازی بزرگتری در همان فضای فیزیکی ترجمه می‌شود.
چالش‌های اصلی فن‌آوری V-NAND کدام است؟
یکی از چالش‌ها حفظ کیفیت داده و سرعت خواندن/نوشتن است زیرا که سلول‌ها با فشرده شدن بیشتر بسته می‌شوند. به طور کلی، نگرانی‌هایی در مورد برداشت تأثیر زیست محیطی تولید نیمه‌هاه‌ها وجود دارد.
آیا هیچ تناقضی با این موضوع وجود دارد؟
نگرانی‌هایی در مورد تأثیر محیطی تولید نیمه‌هاه، مرتبط هستند. در حالی که سرمایه‌گذاری در فناوری‌های اکو مثبت است، کلیت اثر کربنی روند تولید و مواد استفاده شده اغلب مورد بازبینی قرار می‌گیرد.
مزایا:
– افزایش ظرفیت ذخیره‌سازی: فناوری‌های بیت-بیشتر-بر-سلول مانند QLC اجازه می‌دهد که بیشتر داده‌ها در همان فضای فیزیکی ذخیره گردند.
– مصرف کمتر انرژی: واقعیت V-NAND سامسونگ به افزایش کارایی انرژی می‌اندیشد و به آدرس مسائل محیط زیستی و هزینه می‌پردازد.
– عملکرد بهتر: هر نسل جدید V-NAND به طور معمول بهبود در سرعت انتقال داده‌ها و تأخیرات را ارائه می‌دهد.
معایب:
– کاهش دوام: همچون اضافه کردن بیشتر بیت‌ها برای هر سلول، فشار بر سلول افزایش می‌یابد و ممکن است عمر کوتاه‌تری داشته باشد.
– پیچیدگی در تولید: تولید V-NAND های با چگالی بالا ممکن است تکنیکالی چالش‌برانگیز تر باشد و ممکن است نیازمند سرمایه‌گذاری‌های قابل توجه در زمینه پژوهش و توسعه باشد.
برای کشف بیشتر درباره‌ی فن‌آوری نیمه‌هادی و پیشرفت‌ها، می‌توانید به دامین اصلی سامسونگ به Samsung مراجعه نمایید. علاوه براین، برای دیدگاه گسترده‌تری از حافظه‌ی فلش و V-NAND، مطالعه‌ی اطلاعات از مجلات صنعت، کنفرانس‌های نیمه‌هادی، و مقالات تحقیقات همتای موردنظر را در نظر بگیرید.