Investigadores de la Universidad de Hunan, China, están empujando los límites de la ciencia de materiales al explorar estrategias de dopaje para semiconductores bidimensionales (2D). Al introducir átomos extranjeros en estos materiales, los científicos buscan mejorar sus propiedades electrónicas para futuras aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos.
Tradicionalmente, el dopaje de sustitución con elementos extranjeros ha demostrado ser exitoso en la modificación de la estructura de bandas electrónicas y la concentración de portadores del silicio monocristalino tridimensional (3D). El boro (B) y el nitrógeno (N), por ejemplo, se han utilizado como dopantes aceptores y donantes, respectivamente, para aumentar la movilidad de los portadores en el silicio.
Al expandirse al ámbito de los semiconductores 2D, el disulfuro de molibdeno (MoS2) ha surgido como un material prometedor para futuros dispositivos optoelectrónicos. Sin embargo, las estrategias de dopaje controlable para los materiales 2D y sus posibles aplicaciones requieren una mayor exploración.
El equipo de investigadores, liderado por Anlian Pan, Dong Li y Shengman Li, se ha dedicado a sintetizar semiconductores 2D de gran área, alta calidad y baja densidad de defectos. Su enfoque se centra en comprender las propiedades fotoeléctricas de estos materiales y su potencial para futuras aplicaciones en dispositivos.
En su último estudio, los investigadores experimentaron con el dopaje de monocapas de MoS2 con átomos de vanadio (V) utilizando un método de deposición química en fase vapor. Al variar la concentración de átomos de V, pudieron ajustar las características de transferencia de MoS2. Curiosamente, los investigadores descubrieron que las monocapas de MoS2 con bajas concentraciones de dopaje de V exhibían una mayor emisión de B-excitones, lo que indica posibles aplicaciones en fotodetectores de banda ancha.
Los hallazgos de esta investigación, publicados en la revista Frontiers of Optoelectronics, proporcionan información valiosa sobre el campo de los semiconductores 2D y su impacto potencial en las tecnologías optoelectrónicas. A través de los avances en las estrategias de dopaje, los científicos están allanando el camino para un progreso sin precedentes en el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos de próxima generación.
The source of the article is from the blog japan-pc.jp