Die Universität Buffalo (UB) sorgt mit der Gründung ihres Zentrums für fortgeschrittene Halbleitertechnologien für Furore in der Welt der Mikroelektronik. Diese bahnbrechende Initiative zielt darauf ab, das immense Potenzial der Region Buffalo-Rochester-Syracuse zu nutzen, die kürzlich als bundesweiter Technologiehub ausgewiesen wurde. Die Mission des Zentrums besteht darin, gemeinsame Forschung zu fördern und den wachsenden Energiebedarf moderner Rechentechnologien zu bewältigen.
Das UB-Zentrum für fortgeschrittene Halbleitertechnologien wird an vorderster Front bei der Entwicklung von Widegap-Halbleitern für Elektrofahrzeuge und erneuerbare Energienetze stehen und auch fortschrittliche Photovoltaik-Technologien bahnbrechend sein. Diese Bemühungen stehen im Einklang mit den sauberen Energiezielen des Bundesstaates New York und stellen einen bedeutenden Fortschritt bei der energieeffizienten Mikroelektronik-Innovation dar.
Unter der Leitung von Jonathan Bird zielt das Zentrum nicht nur darauf ab, ein akademisches Zentrum zu sein, sondern auch ein Schmelztiegel für die nächste Generation von Führungskräften und Ingenieuren in der Halbleiterindustrie. Sein multidisziplinärer Ansatz spiegelt die einzigartige Fähigkeit Buffalos wider, fortgeschrittene Forschung und Entwicklung anzukurbeln und sowohl die Halbleiterindustrie als auch regionale High-Tech-Ressourcen zu unterstützen.
Das Zentrum spielt neben der Forschung auch eine strategische Rolle in der ehrgeizigen Initiative „NY SMART I-Corridor Tech Hub“, die die Dreistadtregion in ein globales Zentrum für die Schulung, Innovation und Herstellung von Halbleitertechnologien verwandeln soll. Fakultätsmitglieder des Zentrums treiben aktiv Initiativen in der Mikroelektronik und Halbleitertechnologie voran und gestalten Bildungsmöglichkeiten für künftige Halbleiterarbeitskräfte.
Das Zentrum strebt auch eine Integration mit den bestehenden UB-Programmen und -Abteilungen an und fördert Zusammenarbeiten mit der Halbleiterindustrie. Dazu gehören Partnerschaften mit dem UB-Zentrum für industrielle Effektivität und dem Zentrum für Exzellenz in Materialinformatik, die nicht nur die akademischen Programme stärken, sondern auch wesentlich zur nationalen Mikroelektronik-Arbeitskraft beitragen werden.
„Das Zentrum für fortgeschrittene Halbleitertechnologien wird die Universität Buffalo und Western New York an die Spitze der Mikroelektronikforschung in der Welt stellen“, sagt Kemper Lewis, Dekan der School of Engineering and Applied Sciences. Die durch diese Initiative geschmiedeten Partnerschaften werden einzigartige Lernmöglichkeiten für Studierende, eine stärkere regionale Wirtschaft und neue Technologien, die der Gesellschaft insgesamt zugutekommen, ermöglichen.
Durch die Zusammenarbeit mit dem Northeast Defense Technology Hub wird UB die technologische Landschaft Buffalos umgestalten. Diese Zusammenarbeit zielt darauf ab, die Chipindustrie in New York zu stärken, Innovationen voranzutreiben, neue Unternehmen anzuziehen und die Arbeitskräfte zu stärken – ein entscheidender Aspekt der nationalen Sicherheit. Die Experten der Abteilungen für Elektrotechnik, Materialdesign und Innovation sowie Physik an der UB werden die Grenzen von Wissenschaft und Technik ausloten, datengesteuerte Entdeckungsmethoden vorantreiben und die Entwicklung neuer Materialien und Prozesse beschleunigen.
Insgesamt stellt das Zentrum für fortgeschrittene Halbleitertechnologien an der Universität Buffalo einen bedeutenden Fortschritt für das technologische Ökosystem der Region dar. Durch die Integration von modernster Forschung, Bildung und wirtschaftlichen Initiativen positioniert das Zentrum die UB als globalen Marktführer in der Halbleitertechnologie und verspricht eine Belebung der technologischen Landschaft in Western New York.
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