Halbleitergiganten stärken NAND-Technologie für KI-Revolution

Der Anstieg der KI-Nachfrage führt zu einer Eskalation des Wettbewerbs um NAND-Flash-Speicher

Die Branche für Speicher-Halbleiter erlebt einen intensiven Wettbewerb, nicht nur in den Kategorien für High-Bandwidth Memory (HBM), sondern auch im Bereich des NAND-Flash-Speichers, der einfach als NAND bekannt ist. Dynamic RAM oder D-RAM ist eine Art von flüchtigem Speicher, der für die Verarbeitung großer Datenmengen in Echtzeit unerlässlich ist, während der nichtflüchtige NAND-Speicher in der Regel für Datenspeichergeräte verwendet wird.

Ein Anstieg der Nachfrage aus verschiedenen Branchen nach künstlicher Intelligenz (KI) hat zu einer erheblichen Steigerung der Nachfrage nach leistungsstarken und hochkapazitiven Solid-State-Laufwerken (SSDs) sowie anderen NAND-Produkten geführt.

Branchenführer im Wettstreit um die NAND-Führung

Als Reaktion auf den boomenden KI-Markt setzen große Player wie Samsung Electronics und SK Hynix erhebliche Anstrengungen ein, um die Wettbewerbsfähigkeit ihrer NAND-Technologie und Produkte zu steigern. Samsung begann im April mit der Massenproduktion des branchenweit ersten ‚1Tb (Terabit) Triple Level Cell (TLC) 9. Generation V-NAND‘, um seine technologische Spitzenposition mit überlegenen vertikalen Stapelungen von NAND-Zellen zu festigen. Nun haben sie ihre Fortschritte auf eine 290-Lagen, 9. Generation V-NAND angekündigt, die eine 33%ige Geschwindigkeitssteigerung gegenüber der 8. Generation aufweist und Datenübertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 3,2 Gbps erreicht.

Samsung beabsichtigt, seine Position an der Spitze des KI-SSD-Marktes zu bewahren, indem sie die Einführung eines 64-TB-SSD-Produkts planen. Ihre Strategie wurde von dem wachsenden Bedarf an SSDs in den Sektoren Training und Inferenz der KI-Modellentwicklung informiert.

SK Hynix innoviert mit On-Device KI-NAND-Lösungen

SK Hynix hat seine Ambitionen gezeigt, im Bereich des KI-Speichers mit der erfolgreichen Entwicklung der ‚ZUFS (Zoned UFS) 4.0‘ NAND-Lösung für On-Device KI-Smartphones an der Spitze zu stehen. Dieser Flash-Speicher wurde für KI-Operationen auf mobilen Geräten optimiert und kann mit der angegebenen branchenführenden Leistung glänzen. Sie haben eine Verbesserung von etwa 45% bei der Startzeit von Apps erreicht und die Haltbarkeit ihres Produkts vervierfacht und so die Lebensdauer des Produkts insgesamt um etwa 40% verlängert.

Mit zusätzlichen Plänen, den Verkauf ihrer leistungsstarken 16-Kanal, QLC-basierten Enterprise-SSDs zu steigern, bereitet sich SK Hynix auch darauf vor, dem Marktbedarf gerecht zu werden, indem sie rechtzeitig verbraucherfreundliche SSDs starten, die mit der 5. Generation des PCIe kompatibel sind.

KI-Trends beleben den NAND-Sektor wieder, mit robustem Wachstum in der Prognose

KI hat den zuvor stagnierenden NAND-Markt wiederbelebt, wobei sowohl Samsung als auch SK Hynix von signifikanten Verlusten zu Gewinnen im ersten Quartal übergegangen sind. Marktprognosen des Forschungsunternehmens Omdia deuten darauf hin, dass der globale NAND-Umsatz zwischen 2023 von 38,7 Milliarden US-Dollar auf 2028 auf 114,8 Milliarden US-Dollar ansteigen wird und im Durchschnitt ein jährliches Wachstum von 24% verzeichnen wird, angetrieben durch den Bedarf an Sprach- und Inferenzmodellen im KI-Bereich.

Wichtige Fragen und Antworten:

Was löst den Anstieg der Nachfrage nach NAND-Flash-Speicher aus?
Der Anstieg der Nachfrage nach NAND-Flash-Speicher wird hauptsächlich durch Fortschritte in den Technologien der künstlichen Intelligenz angetrieben. Die Entwicklung und Bereitstellung von KI-Modellen erfordern groß angelegte Datenspeicherlösungen mit hoher Leistung und Kapazität, wie SSDs, für Aufgaben wie Modelltraining und Inferenz.

Wie reagieren Halbleiterriesen wie Samsung und SK Hynix auf die KI-Revolution?
Halbleiterführer wie Samsung und SK Hynix reagieren auf die KI-Revolution, indem sie die Entwicklung und Produktion fortschrittlicher NAND-Flash-Speichertechnologien beschleunigen. Samsung konzentriert sich auf die Produktion von V-NAND mit höherer Schichtenanzahl und größeren Kapazitäten bei SSDs, während SK Hynix NAND-Lösungen entwickelt, die für KI-Operationen auf Geräten wie Smartphones optimiert sind.

Welche Marktvorhersagen gibt es für den NAND-Sektor, beeinflusst durch KI?
Das Marktforschungsunternehmen Omdia prognostiziert ein erhebliches Wachstum für den NAND-Sektor und geht davon aus, dass der globale NAND-Umsatz zwischen 2023 von 38,7 Milliarden US-Dollar auf 2028 auf 114,8 Milliarden US-Dollar ansteigen wird. Dieses Wachstum wird voraussichtlich durch durch KI-Anwendungen angetriebene robuste Expansion mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 24%.

Wichtige Herausforderungen und Kontroversen:

Technische Herausforderungen: Die Entwicklung von NAND-Technologien, die eine höhere Speicherkapazität, schnellere Lese-/Schreibgeschwindigkeiten und eine höhere Anhaltedauer bieten, ist technisch anspruchsvoll. Die vertikale Stapelung von NAND-Zellen, wie von Samsung durchgeführt, erfordert Präzisionsmechanik und kann bei zunehmender Anzahl von Schichten auf physische Grenzen stoßen.

Marktwettbewerb: Intensiver Wettbewerb unter NAND-Herstellern kann zu Preiskriegen führen, die die Rentabilität beeinträchtigen. Unternehmen müssen Investitionen in Forschung und Entwicklung mit Marktpreisdruck in Einklang bringen.

Nachhaltigkeit: Die Umweltauswirkungen der zunehmenden Halbleiterherstellung, einschließlich der Produktion von NAND-Flash-Speicher, sind von wachsender Besorgnis. Die Branche steht unter Druck, ökologische Fußabdrücke zu minimieren und elektronischen Abfall effektiv zu entsorgen.

Vor- und Nachteile:

Vorteile:
Leistung: Fortschrittliche NAND-Technologie ermöglicht leistungsstarke Datenspeicherlösungen, die für KI-Anwendungen entscheidend sind.
Kapazität: Innovationen wie Samsungs 64-TB-SSD bieten größere Speicherkapazitäten auf kleinerem Raum, was die Effizienz fördert.
Nichtflüchtigkeit: Im Gegensatz zu DRAM ist NAND nichtflüchtig, was sicherstellt, dass Daten nicht verloren gehen, wenn die Stromzufuhr unterbrochen wird, und ist somit für die Langzeitspeicherung geeignet.

Nachteile:
Anhaltedauer: NAND-Flash-Speicher hat eine begrenzte Anzahl von Schreibzyklen, bevor er zu verschleißen beginnt, was für Anwendungen mit häufigen Schreibvorgängen problematisch sein kann.
Komplexität: Mit dem Fortschreiten der NAND-Technologie steigt die Komplexität der Herstellungsprozesse, was sich auf Produktionsausbeuten und -kosten auswirken kann.
Marktschwankungen: Die Preise für NAND-Flash-Speicher können aufgrund von Angebot-Nachfrage-Dynamiken stark schwanken, was Marktprognosen und Investitionen erschwert.

Verwandte Links:
Samsung Electronics
SK Hynix
Omdia Research

The source of the article is from the blog portaldoriograndense.com

Privacy policy
Contact