Самсунг Электроникс, мировой лидер по производству памяти, планирует внедрить технологию производства чипов, используемую конкурентом SK Hynix, чтобы догнать других участников в гонке за выпуском высококачественных чипов, используемых в приложениях искусственного интеллекта (ИИ), согласно источникам, близким к ситуации.
Потребность в чипах высокой пропускной способности (HBM) стремительно растет с увеличением популярности генеративного искусственного интеллекта. Однако Самсунг отстает от своих конкурентов, SK Hynix и Micron Technology, в заключении сделок по поставке новейших чипов HBM во главе с Nvidia — лидером по производству чипов для ИИ.
Одним из факторов, приводящих к задержке Самсунга в производстве чипов HBM, является его решение придерживаться технологии производства чипов под названием некондуктивная пленка (NCF), которая испытывает проблемы производства. В отличие от этого, SK Hynix применил метод массовой рефлексии с использованием слоя подпайки (MR-MUF) для решения недостатков NCF, что привело к повышению производственной отдачи.
В недавнем развитии событий Самсунг разместил заказы на производственное оборудование, способное обрабатывать технику MR-MUF. Хотя это решение может быть рассмотрено как отклонение от предыдущего подхода Самсунга, оно отражает решимость компании увеличить отдачу производства чипов HBM.
Аналитики оценивают, что текущая отдача производства чипов HBM3 у Самсунга составляет около 10-20%, в то время как SK Hynix добился уровней отдачи в 60-70% для своего производства HBM3. Эти цифры подчеркивают неотложность для Самсунга принять более эффективные методы производства чипов.
Кроме того, репортеры утверждают, что Самсунг в настоящее время находится в переговорах с производителями материалов, включая японскую компанию Nagase, для получения материалов MR-MUF. Однако массовое производство высококачественных чипов с использованием этой техники не ожидается до следующего года, так как Самсунгу необходимо провести дополнительные испытания.
Несмотря на введение метода MR-MUF, Самсунг планирует использовать и техники NCF и MR-MUF для своих новейших чипов HBM. Компания защищает свою технологию NCF, утверждая, что это «оптимальное решение» для продуктов HBM и будет использовано в их новых чипах HBM3E.
Решение Самсунга принять метод MR-MUF подчеркивает растущее давление, с которым компания сталкивается на рынке чипов для ИИ, который в этом году ожидается удвоение стоимости до почти $9 млрд вследствие растущего спроса на продукцию, связанную с искусственным интеллектом. В настоящее время SK Hynix доминирует на рынке чипов HBM, с оценочной долей рынка более 80% в HBM3 и передовых продуктах HBM для Nvidia.
В то время, как Самсунг стремится укрепить свои позиции в этой конкурентной среде, акции компании снизились на 7% в этом году, в то время как SK Hynix и Micron испытали прирост в 17% и 14% соответственно.
FAQ:
Q: Что такое высокоскоростная память (HBM)?
A: Высокоскоростная память (HBM) – это технология, используемая в чипах памяти для обеспечения высокоскоростной передачи данных и увеличения пропускной способности, что делает ее подходящей для приложений, таких как искусственный интеллект.
Q: Что такое технология производства чипов с некондуктивной пленкой (NCF)?
A: Некондуктивная пленка (NCF) – это техника производства чипов, позволяющая стекать несколько слоев чипов в компактный чип памяти высокой пропускной способности. Однако это может привести к проблемам с производством и недостаткам адгезионных материалов.
Q: Что такое метод массовой рефлексии с использованием слоя подпайки (MR-MUF)?
A: Массовая рефлексия с использованием слоя подпайки (MR-MUF) — это альтернативная технология производства чипов, которая решает недостатки некондуктивной пленки (NCF). Она улучшает производственную отдачу и позволяет более эффективно стекать чипы.
Источник: Reuters
The source of the article is from the blog macnifico.pt