Samsung Electronics, le principal fabricant de puces mémoire au monde, envisage d’adopter une technologie de fabrication de puces promue par son concurrent SK Hynix dans le but de combler son retard dans la production de puces haut de gamme utilisées pour les applications d’intelligence artificielle (IA), selon des sources proches du dossier.
La demande de puces de mémoire haute bande passante (HBM) a explosé avec la popularité croissante de l’IA générative. Cependant, Samsung accuse un retard par rapport à ses concurrents, SK Hynix et Micron Technology, pour la fourniture des dernières puces HBM au leader des puces AI, Nvidia.
Un des facteurs contribuant au retard de Samsung dans la production de puces HBM est sa décision de rester fidèle à une technologie de fabrication appelée film non conducteur (NCF), qui présente des problèmes de production. En revanche, SK Hynix a adopté la méthode de moulage sous remplissage en masse (MR-MUF) pour pallier les faiblesses du NCF, ce qui a permis d’obtenir des rendements de production plus élevés.
Dans un récent développement, Samsung a passé des commandes d’équipements de fabrication de puces capables de gérer la technique MR-MUF. Bien que ce choix puisse être perçu comme un changement par rapport à l’approche précédente de Samsung, il reflète la volonté de l’entreprise d’améliorer les rendements de sa production de puces HBM.
Les analystes estiment que les rendements actuels de production des puces HBM3 de Samsung tournent autour de 10 à 20%, alors que SK Hynix a atteint des taux de rendement de 60 à 70% pour sa production de HBM3. Ces chiffres soulignent l’urgence pour Samsung d’adopter des techniques de fabrication de puces plus efficaces.
Par ailleurs, Samsung serait en pourparlers avec des fabricants de matériaux, dont la firme japonaise Nagase, pour obtenir des matériaux MR-MUF. Cependant, la production en masse de puces haut de gamme utilisant cette technique n’est pas attendue avant l’année prochaine, car Samsung doit effectuer d’autres tests.
Malgré l’introduction du MR-MUF, Samsung prévoit d’utiliser à la fois les techniques NCF et MR-MUF pour ses dernières puces HBM. L’entreprise défend sa technologie NCF, affirmant qu’il s’agit d’une « solution optimale » pour les produits HBM et sera utilisée dans ses nouvelles puces HBM3E.
La décision de Samsung d’adopter le MR-MUF souligne la pression croissante à laquelle elle fait face sur le marché des puces AI, qui devrait doubler pour atteindre près de 9 milliards de dollars cette année en raison de la demande croissante d’IA. Actuellement, SK Hynix domine le marché des puces HBM, avec une part de marché estimée à plus de 80% pour les produits HBM3 et avancés destinés à Nvidia.
Alors que Samsung s’efforce de s’établir dans ce paysage concurrentiel, les actions de l’entreprise ont baissé de 7% cette année, tandis que SK Hynix et Micron ont enregistré des gains respectifs de 17% et 14%.
FAQ:
Q: Qu’est-ce que la mémoire haute bande passante (HBM) ?
A: La mémoire haute bande passante (HBM) est une technologie utilisée dans les puces mémoire pour fournir un transfert de données à haute vitesse et une large bande passante accrue, la rendant adaptée à des applications telles que l’intelligence artificielle.
Q: Qu’est-ce que la technologie de fabrication de puce non conductrice (NCF) ?
A: La technologie de fabrication de puce non conductrice (NCF) est une technique de fabrication de puces qui permet l’empilement de multiples couches de puces dans un chipset mémoire haute bande passante compact. Cependant, elle peut entraîner des problèmes de production et des faiblesses dans les matériaux adhésifs.
Q: Qu’est-ce que la méthode de moulage sous remplissage en masse (MR-MUF) ?
A: La méthode de moulage sous remplissage en masse (MR-MUF) est une technique alternative de fabrication de puces qui adresse les faiblesses du film non conducteur (NCF). Elle améliore les rendements de production et permet un empilement de puces plus efficace.
Sources:
– [Reuters](https://www.reuters.com/)
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