SK hynix, одна из ведущих южнокорейских компаний по производству полупроводников, наращивает свои инвестиции в передовую упаковку микросхем для поддержания своего доминирования в развитии искусственного интеллекта с помощью высокопропускной памяти (HBM). Этот шаг направлен на расширение и усовершенствование завершающих этапов технологии производства микросхем компании, при этом на это направление в Южной Корее в этом году выделено более $1 миллиарда.
Ли Канг-ук, лидер по разработке упаковки в SK hynix и бывший инженер Samsung, подчеркнул важность задних технологий в будущем полупроводниковой индустрии. Подчеркивая значимость передовой упаковки микросхем, он заявил, что если в последние пять десятилетий акцент был на передней стороне, то следующие пятьдесят лет будут связаны с задними процессами.
Экспертиза Ли заключается в инновационном объединении и соединении полупроводников, которые легли в основу индустрии искусственного интеллекта в последние годы. Его путь начался в 2000 году, когда он получил степень доктора философии в технологии 3D-интеграции для микросистем от Тохокского университета Японии, работая под руководством Митсумасы Коянаги, изобретателя стеклянного конденсатора DRAM, используемого в смартфонах.
Позднее Ли присоединился к подразделению памяти Samsung в 2002 году в качестве ведущего инженера, где сыграл ключевую роль в разработке технологий упаковки на основе TSV (Through-Silicon Via). Эта революционная работа в конечном итоге положила основу для HBM, высокопропускной памяти, которая оптимизирует обработку данных, укладывая одну микросхему на другую и соединяя их через TSV, что приводит к более быстрой и энергоэффективной производительности.
Модули HBM SK hynix, включая последние модули памяти HBM3 и HBM3E, стали предпочтительным выбором для AI-графических процессоров от NVIDIA, таких как Hopper H100, Hopper H200 и готовящегося к выходу Blackwell B100. В результате акции SK hynix за последние шесть месяцев выросли на 45%, достигнув рекордных значений. Этот значительный рост вывел компанию на второе место по стоимости в Южной Корее, уступая только Samsung.
Аналитик CLSA Securities Korea Санджив Рана отметил руководство SK hynix за их предвидение, подчеркнув их готовность использовать возможности роста. В то время как Рана отмечает, что Samsung оказался в недоумении.
Недавнее заявление SK hynix следует за анонсом Samsung о выпуске своего HBM3E 12-Hi стека на 36 ГБ в ответ на анонс массового производства 24 ГБ HBM3E 8-Hi стека от SK hynix, поскольку обе компании конкурируют на рынке HBM.
Инвестируя существенные средства в передовую упаковку микросхем, SK hynix закрепляет свою позицию лидера в развитии искусственного интеллекта, способствуя инновациям и продвигая полупроводниковую индустрию вперед.
The source of the article is from the blog queerfeed.com.br