인도는 인도 정부 연합 내각이 승인한 세 개의 반도체팹 유닛으로 반도체 제조 분야에서 상당한 발전을 이룰 예정입니다. 나렌드라 모디 총리 주재하에 이루어진 이동은 상당한 고용 기회를 창출하고 해당 나라의 기술 능력을 강화할 것으로 예상됩니다.
세 번째 반도체 ATMP 유닛은 일본의 CG 파워, 레네사스 일렉트로닉스, 태국의 스타즈 마이크로일렉트로닉스와 파트너십을 맺고 구자라트 주의 Sanand에 설립될 것입니다. 특수 칩에 초점을 맞춘 이 유닛은 소비자 전자제품, 자동차, 산업 및 전력 응용 분야를 대상으로 할 것입니다.
이러한 발전은 인도 반도체 산업에 중대한 취지를 표시합니다. 이미 칩 설계 전문 지식을 보유하고 있는 이 나라는 이러한 팹의 설립을 통해 칩 제작 능력을 개발할 것입니다. 게다가, 유닛은 국내 고급 패키징 기술 개발을 촉진하여 해당 나라의 반도체 전반적인 생태계를 향상시킬 것입니다.
이 노력은 할당된 76,000억 루피 예산으로 ‘반도체 및 디스플레이 제조 생태계 개발 프로그램’의 일환입니다. 이러한 팹의 승인은 정부가 자동차 제조, 전자제품 제조 및 통신과 같은 분야에서 기술 전진 및 산업의 고용 기회 창출을 촉진하겠다는 의지를 보여줍니다.
기존 프로젝트의 신속한 진행과 이러한 새로운 팹의 설립으로 인도는 글로벌 반도체 산업에서 주요 선수가 되어 혁신과 다양한 영역에서의 전진을 견인할 것입니다.
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