Последнее объявление о предварительном меморандуме о предоставлении около 1,5 миллиарда долларов на прямое финансирование в рамках закона CHIPS and Science Act для GlobalFoundries (GF) подчеркивает инвестиции в критические отечественные возможности, связанные с технологиями смешанных сигналов и аналогов. Хотя большая часть финансирования будет направлена на расширение зданий GF в Мальте, штат Нью-Йорк, часть будет направлена на оживление его Fab 9 в Эссекс-Джанкшен, Вермонт. Значимость этого инвестирования в Вермонте нельзя недооценить.
Fab 9, исходно приобретенный у IBM в 2015 году, когда-то был ведущим фабом IBM в конце 1990-х годов. Однако, по мере того как IBM направила ведущие инвестиции на крайний край в Ист-Фишкилл, штат Нью-Йорк, фаб потерял свое значение. Тем не менее, в Fab 9 находятся уникальные технологии процесса, такие как нитрид галлия (GaN) на кремнии и кремний-германий (SiGe), которые имеют стратегическое значение для Соединенных Штатов.
GaN, полупроводник широкой запрещенной зоны, предлагает несколько преимуществ перед традиционными кремниевыми чипами. Он способен обрабатывать более высокие напряжения, работать при более высоких температурах и обеспечивать более быструю зарядку устройств, таких как смартфоны и электромобили. Кроме того, быстрая переключающая способность устройств на основе GaN делает их чрезвычайно ценными для радиокомпонентов в мобильных телефонах и будущих технологий, таких как 5G и предстоящие сети 6G.
Хотя GaN представляет существенные преимущества, его природа соединенного полупроводника создает сложности в производстве. Создание транзисторов на основе GaN требует нанесения GaN на подложки, такие как кремний, карбид кремния, сапфир или сам GaN. Интеграция устройств на основе GaN с кремниевыми схемами желательна из-за более низкой стоимости кремния, но это создает технические трудности, связанные с несовпадением решеток и термическими расхождениями. Преодоление этих препятствий требует специализированных знаний и сложных процессов.
Компании, такие как Qorvo, активно используют технологию GaN на кремнии, применяя эту технологию в критических компонентах для смартфонов и беспроводной связи. Также экспертиза GF в кремний-германии (SiGe) имеет важное значение для устройств сверхвысоких частот, таких как усилители мощности радиочастоты. С учетом того, что у GF уже есть клиенты, такие как Raytheon, сотрудничающие с ними, государственные инвестиции в Эссекс-Джанкшенскою установку имеют обоснованное основание.
Поддерживая установки GF в Вермонте, особенно те, которые занимаются безопасным производством важных микросхем для беспроводной связи, США обеспечивают сохранение лидирующих позиций в этой конкурентной отрасли. Инвестирование в период относительной силы и стратегического значения позволяет обеспечить дальнейший рост и инновации, сохраняя критические отечественные возможности на многие годы вперед.
The source of the article is from the blog papodemusica.com