V neustále se měnícím prostředí umělé inteligence (AI) a vědeckého výpočetního výkonu (HPC) hraje technologie paměti klíčovou roli. Jak rostou požadavky v těchto odvětvích, stává se stále zřejmější potřeba vyšší propustnosti paměti. S nástupem HBM4 přichází na trh řešení paměti nové generace, které má zásadní vliv na tuto oblast.
Hromadná výroba paměti HBM3E s pozoruhodnou přenosovou rychlostí dat 9,6 GT/s přes 1024bitové rozhraní právě začala. Avšak exponenciální růst trhu s generativní umělou inteligencí (AI) vyžaduje ještě pokročilejší procesory a technologii paměti. Pro tyto potřeby se očekává uvedení HBM4 s rozhraním o 2048 bitech na trh v příštích dvou letech.
Významný hráč v oblasti pamětí, společnost SK Hynix, aktivně usiluje o vývoj a hromadnou výrobu technologie HBM4. Viceprezident Chun-hwan Kim prohlásil na události SEMICON Korea 2024, že SK Hynix plánuje výrobu HBM4 do roku 2026, v souladu s plánem společnosti Micron, která plánuje uvést technologii na trh na začátku roku 2026.
Hlavní zaměření HBM4 je významné zvýšení propustnosti DRAM. Společnost Micron předpokládá teoretický vrchol propustnosti paměti na stack přesahující 1,5 TB/s, který je dosažen prostřednictvím rozhraní o 2048 bitech a rychlosti přenosu dat přibližně 6 GT/s. Tato vyšší propustnost paměti nejen vyhovuje požadavkům trhu s AI a HPC, ale také pomáhá udržovat spotřebu energie pod kontrolou. Avšak vyšší sofistikace ve směrování nebo požadavcích na sestavení může vést k vyšším nákladům ve srovnání s předchozími verzemi.
Samsung, další klíčový hráč na trhu s pamětmi, rovněž potvrzuje svou angažovanost ve vývoji a výrobě technologie HBM4 do roku 2026. Zajímavé je, že Samsung ještě krok dále nabízí zakázková řešení paměti HBM pro vybrané klienty. Optimalizací výkonu prostřednictvím přídání logických čipů Samsung usiluje o uspokojení jedinečných požadavků individuálních zákazníků působících v oblasti generativní umělé inteligence (AI).
S rostoucím požadavkem na vyšší výpočetní výkon a propustnost paměti nabízí vývoj HBM4 zajímavou perspektivu pro oblast umělé inteligence a výpočetního výkonu. S její vylepšenou výkonností a přizpůsobitelnými řešeními má HBM4 potenciál odemknout nové úrovně efektivity a inovace v oblasti technologie paměti.
Často kladené dotazy (FAQ) o pamětech HBM4
1. Co je HBM4?
HBM4 znamená High Bandwidth Memory 4 a jedná se o technologii paměti nové generace, která má revoluční vliv v oblasti umělé inteligence (AI) a vědeckého výpočetního výkonu (HPC). Očekává se, že bude mít rozhraní o 2048 bitech a výrazně vyšší propustnost paměti ve srovnání s předchozími verzemi.
2. Kdy bude HBM4 dostupná na trhu?
Hlavní hráči v paměťovém průmyslu, jako jsou SK Hynix a Samsung, aktivně usilují o vývoj a hromadnou výrobu technologie HBM4. SK Hynix plánuje výrobu HBM4 do roku 2026, v souladu s plánem společnosti Micron, která plánuje uvést technologii na trh na začátku roku 2026.
3. Jaké jsou výhody technologie HBM4?
HBM4 se zaměřuje na významné zvýšení propustnosti DRAM, s teoretickou vrcholovou propustností paměti na stack přesahující 1,5 TB/s. Tato vyšší propustnost paměti vyhovuje potřebám trhu s umělou inteligencí (AI) a vědeckým výpočetním výkonem (HPC) a zároveň pomáhá udržovat spotřebu energie pod kontrolou. Samsung navíc nabízí zakázková řešení paměti HBM pro vybrané klienty, optimalizující výkon podle jejich jedinečných požadavků.
4. Existují nějaké výzvy nebo potenciální nevýhody technologie HBM4?
I když technologie HBM4 nabízí vylepšenou výkonnost, vyšší sofistikace ve směrování nebo požadavcích na sestavení může vést k vyšším nákladům ve srovnání s předchozími verzemi.
Související odkazy:
– SK Hynix
– Samsung
The source of the article is from the blog kunsthuisoaleer.nl