В постоянно променящата се среда на изкуствен интелект (AI) и високопроизводителните изчисления (HPC), технологията за памет играе важна роля. С нарастващите изисквания в тези индустрии става очевидна необходимостта от по-висока пропускливост на паметта. Тук идва HBM4, следващото поколение паметно решение, което ще революционизира областта.
Серийното производство на памет HBM3E, разполагаща със забележителна скорост на пренос на данни от 9.6 GT/s през интерфейс от 1024 бита, наскоро започна. Въпреки това, експоненциалният растеж на пазара на генеративния AI изисква още по-напреднали процесори и паметова технология. За да се справи с това, очаква се HBM4, разполагаща с интерфейс от 2048 бита, да излезе на пазара до две години.
SK Hynix, водещ играч в индустрията на паметта, активно преследва разработката и серийното производство на HBM4. Заместник-президент Чун-хуан Ким заяви по време на събитието SEMICON Korea 2024, че SK Hynix има за цел да произведе HBM4 до 2026 г., съобразно плана на Micron да го предложи в началото на 2026 г.
С HBM4 фокусът е силно увеличаване на пропускливостта на DRAM. Micron прогнозира теоретична върхова пропускливост на паметта от над 1.5 TB/s, постигната чрез интерфейс от 2048 бита и скорост на пренос на данни от около 6 GT/s. Тази по-висока пропускливост на паметта не само отговаря на изискванията на индустриите на AI и HPC, но също помага да се контролира консумацията на енергия. Въпреки това, по-напредналите изисквания за маршрутизация или стековане може да доведат до по-високи разходи спрямо предишните версии.
Samsung, друг важен играч на пазара на паметта, също потвърждава ангажимента си за разработване и производство на HBM4 до 2026 г. Интересно е, че Samsung отива още по-далеч, като предлага персонализирани HBM решения за избрани клиенти. Чрез оптимизиране на производителността чрез добавянето на чипове за логика, Samsung се стреми да отговори на уникалните изисквания на отделните клиенти, занимаващи се с генеративния AI.
Тъй като търсенето на по-голяма обработваща мощност и пропускливост на паметта продължава неуморно, разработката на HBM4 предоставя вълнуващи възможности за индустриите на AI и HPC. С по-добрата си производителност и персонализирани решения, HBM4 има потенциал да отключи нови нива на ефективност и иновации в областта на технологиите за памет.
Често задавани въпроси (ЧЗВ) относно технологията на паметта HBM4
1. Какво е HBM4?
HBM4 означава High Bandwidth Memory 4 и е поколение паметно решение, което се очаква да революционизира областта на изкуствения интелект (AI) и високопроизводителните изчисления (HPC). Очаква се да разполага с интерфейс от 2048 бита и значително по-голяма пропускливост на паметта в сравнение с предходните версии.
2. Кога ще бъде достъпна HBM4 на пазара?
Големите играчи в индустрията на паметта, като SK Hynix и Samsung, активно преследват разработката и серийното производство на HBM4. SK Hynix цели да произведе HBM4 до 2026 г., съобразно плана на Micron да го предложи в началото на 2026 г.
3. Какви са предимствата на HBM4?
HBM4 се фокусира върху съществено увеличаване на пропускливостта на DRAM, с теоретична върхова пропускливост на паметта от над 1.5 TB/s. Тази по-висока пропускливост на паметта отговаря на изискванията на индустриите на AI и HPC, докато помага да се контролира консумацията на енергия. Допълнително, Samsung предлага персонализирани HBM решения за избрани клиенти, оптимизирайки производителността за техните уникални изисквания.
4. Има ли предизвикателства или потенциални недостатъци при HBM4?
Въпреки че HBM4 предлага по-добра производителност, по-напредналите изисквания за маршрутизация или стековане може да доведат до по-високи разходи спрямо предишните версии.
Свързани връзки:
– SK Hynix
– Samsung
The source of the article is from the blog be3.sk