The Race for Next-Generation Memory Technology

下一代内存技术的竞争

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高峰之外,记忆半导体行业正朝着确保未来一代人工智能半导体技术取得进展。
SK海力士作为AI存储半导体行业的巨头,在高带宽存储器(HBM)领域处于领先地位,专注于快速新产品开发和大规模生产,以保持领先优势。与此同时,尽管三星电子在存储领域占据领先地位,但正在转变注意力,致力于下一代HBM的开发以及Compute Express Link(CXL)以重夺市场份额。

三星对决SK海力士,HBM4的争夺战
三星电子与SK海力士在人工智能半导体领域掀起第二轮竞争。在三星因在第五代HBM3E认证方面落后于英伟达之后,SK海力士成功与英伟达签署了HBM3E供应协议。作为回应,三星电子加快了HBM4的开发速度,旨在重夺全球领先HBM制造商的地位。

在不久前的釜山半导体工程大会上,三星电子宣布其正在顺利推进HBM4的开发,没有延误。该公司计划将先进的4纳米晶体管工艺应用于HBM4逻辑芯片的生产,超出了之前使用7-8纳米工艺的预期。

SK海力士为HBM至高位置而做出的举措
为捍卫地位而采取的战略举措,SK海力士与全球领先的晶圆代工企业台积电结成联盟,共同开发HBM4。SK海力士和台积电计划利用逻辑晶圆工艺开发HBM4,计划融合12纳米和5纳米工艺以增强生产效率。此外,SK海力士最近聘请了经验丰富的人员,以确保HBM逻辑芯片产量,并进行HBM测试。

请继续关注记忆半导体行业中的竞争,特别是在HBM4卓越性和面向未来的CXL主导地位的争夺中。


SK海力士官方网站
三星电子官方网站

随着竞争加剧和技术进步持续,记忆技术的未来充满希望,创新可能重塑人工智能计算和数据存储的格局。密切关注记忆半导体行业的发展,期待下一代记忆技术的突破性进展。

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