下一代内存技术的竞争

高峰之外，记忆半导体行业正朝着确保未来一代人工智能半导体技术取得进展。
SK海力士作为AI存储半导体行业的巨头，在高带宽存储器（HBM）领域处于领先地位，专注于快速新产品开发和大规模生产，以保持领先优势。与此同时，尽管三星电子在存储领域占据领先地位，但正在转变注意力，致力于下一代HBM的开发以及Compute Express Link（CXL）以重夺市场份额。

三星对决SK海力士，HBM4的争夺战
三星电子与SK海力士在人工智能半导体领域掀起第二轮竞争。在三星因在第五代HBM3E认证方面落后于英伟达之后，SK海力士成功与英伟达签署了HBM3E供应协议。作为回应，三星电子加快了HBM4的开发速度，旨在重夺全球领先HBM制造商的地位。

在不久前的釜山半导体工程大会上，三星电子宣布其正在顺利推进HBM4的开发，没有延误。该公司计划将先进的4纳米晶体管工艺应用于HBM4逻辑芯片的生产，超出了之前使用7-8纳米工艺的预期。

SK海力士为HBM至高位置而做出的举措
为捍卫地位而采取的战略举措，SK海力士与全球领先的晶圆代工企业台积电结成联盟，共同开发HBM4。SK海力士和台积电计划利用逻辑晶圆工艺开发HBM4，计划融合12纳米和5纳米工艺以增强生产效率。此外，SK海力士最近聘请了经验丰富的人员，以确保HBM逻辑芯片产量，并进行HBM测试。

请继续关注记忆半导体行业中的竞争，特别是在HBM4卓越性和面向未来的CXL主导地位的争夺中。

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– SK海力士官方网站
– 三星电子官方网站

随着竞争加剧和技术进步持续，记忆技术的未来充满希望，创新可能重塑人工智能计算和数据存储的格局。密切关注记忆半导体行业的发展，期待下一代记忆技术的突破性进展。