Společnost Samsung Electronics oznámila vytvoření nového paměťového čipu DRAM navrženého k uspokojení rostoucí poptávky po umělé inteligenci (AI) přímo na zařízení. Tento paměťový polovodič se vyznačuje schopností pracovat nejrychleji v průmyslu rychlostí 10,7 Gb/s a zároveň udržovat nízkou spotřebu energie, obdobně jako tradiční DRAM z hlediska výkonu.
S rozšířením trhu s AI na zařízeních se zvyšuje potřeba nízké spotřeby, vysoké kapacity a vysokovýkonné LPDDR DRAM. Důležitost takové DRAM je podtržena její rolí v umožnění rychlého zpracování dat smartphony, počítačů a dalších zařízení bez přetížení zdroje jejich napájení.
Nový model LPDDR5X se může pochlubit 25% zlepšením výkonu a 30% zvýšením kapacity oproti předchozí generaci. Integrací pokročilých technologií, jako je optimalizace proměnného výkonu, která přizpůsobuje energetickou spotřebu podle výkonu a rychlosti, a rozšíření rozsahu pro nízkoenergetické operace, se společnosti Samsungu podařilo snížit spotřebu energie o 25% ve srovnání s předchůdci. Výsledkem je prodloužení životnosti baterie mobilních zařízení a snížení spotřeby energie pro úkoly zpracování dat.
Šéf produktového plánování společnosti Samsung uvedl, že rostoucí poptávka po nízkoenergetických, vysokovýkonných polovodičích naznačuje, že potenciální aplikace LPDDR DRAM by mohly sahat nad mobile devices až k serverům. Společnost Samsung se zavázala úzce spolupracovat se svými zákazníky, aby nabídla řešení šité na míru pro nadcházející éru AI na zařízeních.
Společnost plánuje testovat LPDDR5X DRAM s procesory aplikací a výrobci mobilních zařízení před zahájením hromadné výroby v druhé polovině roku.
The source of the article is from the blog papodemusica.com