Поза верхів’ям, галузь напівпровідникової пам’яті активно рушає вперед у напрямку забезпечення наступного покоління процесорів штучного інтелекту. SK Hynix, яка виходить на передовий рушій в галузі напівпровідникової пам’яті штучного інтелекту завдяки лідерству в галузі високопропускної пам’яті (HBM), зосереджується на швидкому розробленні нових продуктів та масовому виробництві для збереження свого лідерства перед конкурентами. Між тим, Samsung Electronics, хоч і є лідером у галузі пам’яті, перенаправляє свою увагу на розробку наступного покоління HBM та Compute Express Link (CXL), щоб відновити свої позиції.
Samsung vs. SK Hynix, битва за HBM4
Samsung Electronics та SK Hynix розпочали другий етап конкуренції на ринку напівпровідникового процесора штучного інтелекту. На фоні того, що Samsung відстає в сертифікації якості NVIDIA для HBM3E 5-го покоління, SK Hynix успішно уклав угоду про поставку HBM3E з NVIDIA. У відповідь, Samsung Electronics прискорив розробку HBM4 з метою повернення своєї позиції найбільшого виробника HBM в світі.
На нещодавній конференції з напівпровідникової інженерії в Бусані Samsung Electronics оголосила, що робота над розробкою HBM4 ведеться успішно, без затримок. Компанія планує використовувати передові процеси фундаменту 4нм для виробництва логічних кристалів HBM4, перевершуючи очікування щодо використання процесів 7-8нм.
Хід SK Hynix для визначення HBM
Стратегічний крок для захисту своєї позиції, SK Hynix налагодила альянс з TSMC, провідним фундаментом у світі, для розробки HBM4. SK Hynix та TSMC планують використовувати процеси логічних вафель для розробки HBM4, із планами по об’єднанню процесів 12нм та 5нм для підвищення ефективності виробництва. Крім того, SK Hynix нещодавно залучила досвідчений персонал для забезпечення виходу HBM з логічною кришкою та проведення випробувань на HBM.
Слідкуйте за змаганням у галузі напівпровідникових пам’яті, особливо в погоні за відмінністю HBM4 та домінуванням у майбутньоорієнтованому CXL.
Прогрес у технології пам’яті наступного покоління
Змагання за технологією пам’яті наступного покоління продовжує набирати обертів, коли компанії, такі як Samsung Electronics та SK Hynix, розширюють межі в галузі напівпровідникової пам’яті штучного інтелекту. Хоча конкуренція в основному сконцентрована на високопропускній пам’яті (HBM), інші ключові учасники також роблять значні кроки в цій галузі.
Основні питання:
1. Які останні досягнення в технології HBM4?
2. Як впливають досягнення в технології пам’яті на додатки штучного інтелекту?
3. З якими викликами стикаються компанії у масовому виробництві рішень пам’яті наступного покоління?
Додаткові факти:
– Micron Technology, великий учасник у галузі пам’яті, активно інвестує в розробку пам’яті GDDR6X, яка пропонує високу продуктивність і пропускну здатність для графічних застосунків.
– Intel, відомий своїми процесорами, також досліджує досягнення в технології пам’яті з продуктами Optane, спрямовуючись на революцію в областях сховищ та пам’яті.
– Застосунки штучного інтелекту стимулюють попит на швидші та більш ефективні рішення пам’яті, що призводить до зростання дослідницько-розробних робіт у секторі напівпровідників.
Переваги та недоліки:
Перевагами технології пам’яті наступного покоління є підвищена швидкість, вища пропускну здатність та покращена енергоефективність, які є необхідними для обробки складних завдань штучного інтелекту. Однак викликами, такими як виробничі витрати, оптимізація виходу та проблеми сумісності з існуючими системами, представлені значні перешкоди для широкого впровадження.
Пов’язані посилання:
– Офіційний веб-сайт SK Hynix
– Офіційний веб-сайт Samsung Electronics
При наростанні конкуренції та технологічному прогресі майбутнє технології пам’яті виглядає обіцяючим, з інноваціями, які можуть перетворити ландшафт обчислень штучного інтелекту та зберігання даних. Слід уважно спостерігати за розвитком у галузі напівпровідникових пам’яті для захоплюючих досягнень в технології пам’яті наступного покоління.
The source of the article is from the blog myshopsguide.com