次世代メモリ技術のレース

サミットを超えて、メモリセマイコンダクタ業界は次世代のAI半導体技術の確保に向けて前進しています。HBM分野でリーディングすることによりAIメモリセマイコンダクター業界で強国として台頭しているSKハイニックスは、競合他社に優位を維持するために迅速な新製品開発と量産に注力しています。一方、メモリ分野のリーダーであるサムスン電子は、次世代のHBM開発やCompute Express Link(CXL)に焦点を移し、競争力を取り戻そうとしています。

サムスン vs. SKハイニックス、HBM4争い
サムスン電子とSKハイニックスは、AI半導体分野での2回目の競争を開始しました。NVIDIAの第5世代HBM3Eの認証が遅れたことから、サムスンに対する販売が成功裏に進んだSKハイニックスは、NVIDIAとHBM3E供給契約を締結しました。これに対し、サムスン電子は世界トップのHBMメーカーとしての地位を取り戻すため、HBM4の開発を加速させています。

最近の釜山で開催された半導体エンジニアリングカンファレンスで、サムスン電子はHBM4の開発がスムーズに進行していることを発表しました。同社は、HBM4ロジックダイに最新鋭の4nmファウンドリプロセスを適用し、7-8nmプロセスを使用すると期待されている過去の予想を上回る計画を立てています。

SKハイニックスのHBM制圧への動き
地位を守るための戦略的な動きとして、SKハイニックスは、世界トップのファウンドリであるTSMCと提携してHBM4の開発を行いました。SKハイニックスとTSMCは、HBM4の開発にロジックウェハープロセスを活用し、12nmおよび5nmプロセスを統合して生産効率を向上させる計画です。さらに、SKハイニックスは最近、経験豊富な人材を採用して、HBMロジックダイの収量を確保し、HBMテストを実施しています。

HBM4の卓越性と将来志向のCXL支配を探求する中で、メモリセマイコンダクター業界での競争が激化するのに注目してください。

The source of the article is from the blog radardovalemg.com

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