在人工智能（AI）和高性能计算（HPC）不断发展的领域中，内存技术起着至关重要的作用。随着这些行业的需求不断攀升，对更高内存带宽的需求也变得明显。HBM4作为下一代内存解决方案，将彻底改变这个领域。
HBM3E内存已经开始大规模生产，通过1024位接口拥有令人瞩目的每秒9.6 GT的数据传输速率。然而，生成型AI市场的指数增长需要更先进的处理器和内存技术。为了解决这个问题，预计HBM4将在未来两年内推出，具备2048位接口。
作为内存行业的主要参与者，SK海力士正积极推进HBM4的开发和大规模生产。副总裁金春寰在2024年的SEMICON Korea活动中表示，SK海力士计划在2026年生产HBM4，与美光计划在2026年初推出相一致。
HBM4的重点在于显著增加DRAM吞吐量。美光预测每个堆叠的理论峰值内存带宽超过1.5 TB/s，通过2048位接口和每秒约6 GT的数据传输速率实现。这种更高的内存带宽不仅满足AI和HPC行业的需求，还有助于控制功耗。然而，路由或堆叠要求的增加可能导致与之前版本相比更高的成本。
三星作为内存市场的另一家重要参与者，也承诺在2026年之前开发和生产HBM4。有趣的是，三星进一步提供定制的HBM解决方案给特定客户。通过添加逻辑芯片优化性能，三星旨在满足与生成型AI相关的个体客户的独特需求。
随着对更高处理能力和内存带宽的需求不断增长，HBM4的开发为AI和HPC行业提供了令人兴奋的前景。凭借其增强的性能和定制的解决方案，HBM4有潜力在内存技术领域打开效率和创新的新局面。
HBM4内存技术常见问题解答（FAQ）
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